Классификация диодов по технологии изготовления и назначению. УГО в схемах.

Обратная ветвь ВАХ отражает поведение диода при подаче на него напряжения обратной полярности, где ток через переход очень мал и практически не зависит от величины приложенного к диоду напряжения, пока не будет достигнут предел, при котором случится электрический пробой перехода и диод выйдет из строя.
УГО выпрямительного полупроводникового диода приведено на рисунке 1.1.
Надписи «Анод», «Катод», «+» и «-» на схеме не пишутся.
Схема включения выпрямительного полупроводникового диода в состав однополупериодного выпрямителя показана на рисунке 3.2.

Ответ: МДП транзисторы со встроенным каналом
МДП транзистор со встроенным каналом – предназначен для усиления мощности электрического сигнала.
Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов.
Основные параметры МДП-транзисторов со встроенным каналом:
- Uзи0 – пороговое напряжение (напряжение запирания, напряжение отсечки) – напряжение , при котором ток Iс практически равен нулю;
- Iс max (Ic0) – максимальное значение тока стока, наблюдающееся при Uзи = 0;
- S – крутизна стоко-затворной характеристики – отражает влияние Uзи на выходной ток Iс транзистора;
- ri - внутренне сопротивление характеризует наклон выходной характеристики (II область); показывает динамическое сопротивление канала;
- Сзи, Cси, Сзс – межэлектродные емкости, обусловленные, в основном, наличием p-n-переходов, примыкающих к истоку и к стоку.

ВАХ МДП-транзисторов со встроенным каналом приведено на рисунке 2.6.

а) стоковая (выходная); б) стокозатворная
Рисунок 2.6 - ВАХ МДП-транзисторов со встроенным каналом

УГО МДП-транзисторов со встроенным каналом приведено на рисунке 2.7.

а) с p каналом; б) с n каналом
Рисунок 2.7 - УГО МДП-транзисторов со встроенным каналом

На принципиальной электрической схеме буквы И, З, С (исток, затвор, сток) не пишутся.
Схема включения МДП транзисторов со встроенным каналом приведена на рисунке 2.8.

а) с общим истоком; б) с общим затвором
Рисунок 2.8 - Схема включения МДП транзисторов со встроенным каналом

Ответ: Динисторы
Динистор - это двухэлектродный ключевой полупроводниковый элемент, открытие которого происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора, а закрытие - снижением до определённого уровня тока через него.
УГО динистора приведено на рисунке 2.9.

Рисунок 2.9 – УГО динистора
Надписи «А», «К», (анод, катод) на схеме не пишутся.
Назначение – использование в силовой полупроводниковой электронике в роли ключа.
Принцип работы динистора основывается на том, что при прямом включении он не пропускает ток до тех пор, пока напряжение на его выводах не достигнет определённого значения. Значение этого напряжения имеет определённую величину и не может быть изменено. Это связано с тем, что динистор является неуправляемым тиристором – у него нет третьего, управляющего, вывода.