Транзисторы. Общие действия.

1 Транзисторы. Общие сведения

Транзистор, который также называют «полупроводниковый триод» — это электронный компонент, выполненный из полупроводникового материала (чаще всего используется германий и кремний). Транзистор способен небольшим входным сигналом управлять большими значениями тока в выходной цепи, поэтому он используется для того, чтобы генерировать, усиливать и преобразовывать электрический сигнал. Транзистор – это основа практически всех электронных устройств, а также интегральных микросхем.
Термин «транзистор» имеет английского происхождение, он основан на двух словах — «transfer», что в переводе означает «передача», и «resistor» — «сопротивление». То есть при дословном переводе можно понять, что транзистор — это прибор, способный передавать электрический ток с определенным сопротивлением.
В зависимости от структуры и принципа действия все транзисторы подразделяются на 2 класса: полевые (или их также называют униполярные) и биполярные.
В настоящее время больше распространены биполярные транзисторы, то есть транзисторы с двумя n–p– переходами. В основе их работы лежит использование носителей зарядов обоих знаков. Первый транзисторы были точечными, но, из-за недостаточной устойчивости в их работе, в настоящее время применяются только плоскостные.
В основе классификации биполярных транзисторов лежат разные признаки.
По материалу:
1. германиевые;
2. кремниевые;
3. арсенидогаллиевые.
По технологии изготовления транзисторы бывают:
1. аплавные;
2. диффузионные;
3. эпитаксиальные;
4. планарные.
По виду проводимости областей:
1. Типа р-n-р;
2. Типа n-p-n.
По мощности:
1. Маломощные (до 300 мВт);
2. Средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт);
3. Большой мощности (более 1,5 Вт).
По частоте:
1. Низкочастотные не более 3 МГц;
2. Средней частоты – от 3 МГц до 30МГц;
3. Высокочастотные – от 30 МГц до 300 МГц;
4. Сверхвысокочастотные – более 300 МГц.
Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов.
Первый элемент — буква или цифра, соответствующая материалу, из которого сделан транзистор: Г(1) — германий, К(2) — кремний, А(3) — арсенид галлия.
Второй элемент — буква, соответсвующая типу транзистора: Т — биполярный, П — полевой.
Третий элемент — цифра, соответствующая частотным и мощностным свойствам прибора (табл. 1).