Фрагмент для ознакомления
1
ВВЕДЕНИЕ 3
1 ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА 5
1.1 Физические основы рентгеновской дифракции в кристаллах 5
1.2 Области когерентного рассеяния и их физический смысл 7
1.3 Уширение дифракционных линий и факторы, на него влияющие 11
1.4 Формула Шеррера и методы аппроксимации дифракционных максимумов 15
2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ 21
2.1 Исходные экспериментальные данные и условия съёмки дифрактограммы 21
2.2 Анализ дифракционного профиля и определение полуширины дифракционного максимума 23
2.3 Расчёт среднего размера областей когерентного рассеяния по формуле Шеррера 26
2.4 Сравнение результатов, полученных различными методами 28
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 31
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 33
Фрагмент для ознакомления
2
Микродеформации приводят к тому, что в различных областях кристалла значение межплоскостного расстояния d слегка отличается от среднего. В результате условие Брэгга выполняется для разных участков кристалла при немного отличающихся углах, что вызывает дополнительное уширение дифракционных линий. В отличие от размерного эффекта, микродеформации не изменяют среднего положения дифракционного пика, но увеличивают его ширину.
Особенно выраженное влияние микродеформаций наблюдается в материалах, полученных методами интенсивной механической обработки, таких как шаровое измельчение, пластическая деформация, прокатка, а также в тонкоплёночных системах и материалах с высоким содержанием примесей.
Влияние дислокаций и протяжённых дефектов
Линейные дефекты кристаллической решётки, прежде всего дислокации, оказывают существенное влияние на форму дифракционных максимумов. Дислокации создают протяжённые поля упругих напряжений, распространяющиеся на значительные расстояния от линии дефекта. Эти напряжения приводят к локальным искажениям межплоскостных расстояний, что отражается в уширении дифракционных линий.
Плотность дислокаций является важным параметром, характеризующим степень дефектности кристалла. При высокой плотности дислокаций вклад микродеформаций в уширение дифракционных пиков может превосходить вклад размерного эффекта. В таких случаях использование упрощённых формул, основанных только на измерении полуширины пика, может приводить к завышенной оценке размеров областей когерентного рассеяния.
Влияние границ зёрен и субзёрен
Границы зёрен и субзёрен также являются важным фактором, ограничивающим размер областей когерентного рассеяния. Граница зерна представляет собой область с нарушенной периодичностью кристаллической решётки, в которой ориентация решётки меняется скачкообразно. Такие границы препятствуют распространению когерентного рассеяния и effectively разделяют кристалл на отдельные области.
В поликристаллических и нанокристаллических материалах число границ зёрен значительно возрастает, что приводит к уменьшению среднего размера ОКР. При этом геометрический размер зерна может существенно превышать размер области когерентного рассеяния, что необходимо учитывать при интерпретации результатов рентгеноструктурного анализа.
Инструментальное уширение
Экспериментально наблюдаемая ширина дифракционного максимума всегда включает вклад инструментального уширения, обусловленного характеристиками рентгеновского дифрактометра. К основным источникам инструментального уширения относятся конечная ширина щелей, немонохроматичность рентгеновского излучения, расходимость пучка, размеры источника и детектора, а также геометрия съёмки.
Даже при исследовании эталонных образцов с высокой степенью кристалличности инструментальное уширение остаётся конечным и должно быть учтено при количественном анализе. В идеале инструментальный вклад определяется экспериментально путём измерения дифрактограммы стандартного образца и затем вычитается из общей ширины дифракционного пика.
Форма дифракционного максимума несёт важную информацию о природе уширения. Размерный эффект, как правило, приводит к формированию линий лоренцевой (косинусной) формы, тогда как микродеформации чаще описываются гауссовым распределением. В реальных условиях дифракционные пики имеют смешанную форму, обусловленную одновременным действием нескольких факторов.
Для аппроксимации экспериментальных пиков широко используются функции Коши, Гаусса, а также комбинированные функции, такие как функция Пирсона. Выбор аппроксимации оказывает существенное влияние на результат определения полуширины пика и, следовательно, на оценку размера областей когерентного рассеяния.
Суммарное уширение дифракционного максимума представляет собой результат свёртки всех перечисленных вкладов. В простейшем приближении предполагается аддитивность квадратов или самих ширин, однако точное описание требует более сложных моделей. В практических расчётах часто используется упрощённый подход, позволяющий получить оценку среднего размера ОКР при заданных допущениях.
Следует подчеркнуть, что результаты определения размеров областей когерентного рассеяния всегда носят оценочный характер и зависят от выбранной модели уширения. Поэтому при интерпретации полученных данных необходимо учитывать использованные приближения и экспериментальные условия.
Анализ уширения дифракционных линий является одним из наиболее информативных инструментов рентгеноструктурного анализа, позволяющим исследовать микроструктуру материалов на нанометровом уровне. Данный подход широко применяется при изучении порошковых, нанокристаллических и аморфно-кристаллических систем.
Понимание физических механизмов уширения дифракционных максимумов позволяет обоснованно использовать формулу Шеррера и методы аппроксимации дифракционных линий для определения размеров областей когерентного рассеяния. Эти положения служат теоретической основой для экспериментальной части данной курсовой работы, в которой будет выполнен анализ дифракционного профиля и рассчитан средний размер ОКР исследуемого образца.
1.4 Формула Шеррера и методы аппроксимации дифракционных максимумов
Одним из наиболее распространённых и практически значимых методов определения среднего размера областей когерентного рассеяния в рентгеноструктурном анализе является использование формулы Шеррера. Данный подход основан на анализе уширения дифракционных максимумов и позволяет получить количественную оценку характерных размеров кристаллических областей по экспериментальным дифракционным данным. Несмотря на простоту и приближённый характер, формула Шеррера широко применяется в исследованиях порошковых, нанокристаллических и тонкоплёночных материалов.
Исторически формула Шеррера была предложена для описания связи между шириной дифракционного максимума и конечным размером кристаллитов. В основе данного подхода лежит предположение о том, что уширение дифракционной линии обусловлено главным образом размерным эффектом, а вклад других факторов либо мал, либо может быть учтён отдельно. Это делает формулу Шеррера удобным инструментом для первичной оценки размеров областей когерентного рассеяния.
Фрагмент для ознакомления
3
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Азимов Ю. И. Рентгеноструктурный анализ кристаллов : учеб. пособие. — М. : Высшая школа, 1987. — 320 с.
2. Баранов В. И., Горбунов А. И. Методы рентгеноструктурного анализа : учеб. пособие. — М. : МИФИ, 2004. — 256 с.
3. Берналь Дж. Д. Рентгеноструктурный анализ. — М. : Иностранная литература, 1958. — 412 с.
4. Блохин М. А. Физика рентгеновских лучей. — М. : Наука, 1971. — 456 с.
5. Васильев А. Н. Физика твердого тела : учебник для вузов. — М. : Физматлит, 2008. — 640 с.
6. Гинье А. Рентгенография кристаллов. — М. : Государственное издательство физико-математической литературы, 1961. — 604 с.
7. Горелик С. С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. — М. : Металлургия, 1970. — 368 с.
8. Ермаков А. Н. Основы рентгеноструктурного анализа. — Томск : ТПУ, 2006. — 214 с.
9. Китаев Ю. П. Методы исследования структуры и свойств материалов. — М. : Академия, 2010. — 288 с.
10. Ковба Л. М., Трунов В. К. Рентгенофазовый анализ. — М. : Изд-во МГУ, 1984. — 216 с.
11. Кочетков А. Н. Физические методы исследования материалов. — М. : Физматлит, 2012. — 352 с.
12. Куликов В. А. Рентгеноструктурный анализ наноматериалов. — М. : Физматлит, 2014. — 304 с.
13. Лаврентьев А. А. Основы кристаллографии и рентгеноструктурного анализа. — М. : Высшая школа, 1986. — 287 с.
14. Миркин Л. И. Рентгеноструктурный анализ : справочник. — М. : Наука, 1976. — 863 с.
15. Морозов В. Н. Физика твёрдого тела. — СПб. : Лань, 2011. — 480 с.
16. Пинскер З. Г. Рентгенография кристаллов. — М. : Наука, 1966. — 620 с.
17. Рафалович М. Х. Методы анализа структуры твердых тел. — М. : Физматлит, 2009. — 344 с.
18. Свердлов В. И. Рентгеноструктурный анализ. — Л. : Изд-во ЛГУ, 1988. — 224 с.
19. Смирнов Б. М. Физика кристаллов. — М. : Наука, 1982. — 352 с.
20. Соколов В. И. Физика дифракционных методов исследования. — М. : Физматлит, 2007. — 296 с.
21. Халилов В. Л. Рентгеновские методы исследования структуры вещества : учеб. пособие. — Казань : КНИТУ, 2013. — 192 с.
22. Шалимова К. В. Физика полупроводников : учебник для вузов. — М. : Энергия, 1976. — 416 с.
23. Штольц А. К. Методы исследования структуры твердых тел. — М. : Наука, 1981. — 304 с.
24. Cullity B. D., Stock S. R. Elements of X-Ray Diffraction. — 3rd ed. — Upper Saddle River : Prentice Hall, 2001. — 664 p.
25. Guinier A. X-ray Diffraction in Crystals, Imperfect Crystals, and Amorphous Bodies. — New York : Dover Publications, 1994. — 378 p.
26. Klug H. P., Alexander L. E. X-ray Diffraction Procedures for Polycrystalline and Amorphous Materials. — New York : Wiley, 1974. — 992 p.
27. Patterson A. L. The Scherrer Formula for X-Ray Particle Size Determination // Physical Review. — 1939. — Vol. 56. — P. 978–982.
28. Warren B. E. X-Ray Diffraction. — New York : Dover Publications, 1990. — 381 p.
29. West A. R. Solid State Chemistry and its Applications. — Chichester : Wiley, 2014. — 576 p.
30. Young R. A. The Rietveld Method. — Oxford : Oxford University Press, 1993. — 298 p.